Es handelt sich um einen komplementären Enhancement-Mode-MOSFET, der sowohl einen N-Kanal- als auch einen P-Kanal-Transistor in einem einzigen SOT363-Gehäuse vereint.
DMG1016UDWQ-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 20V / -20V
- ID
- 1066mA / -845mA
- RDS(on)
- 0.45Ω / 0.75Ω
- Gehäuse
- SOT363
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- REACH Unaffected
- MSL
- 1 (Unlimited)
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
Anwendung
AutomobilEnergiemanagement
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DMG1016UDWQ-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
