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DMG1016V-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1016V-7 product

DMG1016V-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärSOT-563AEC-Q101

Der DMG1016V-7 ist ein komplementärer Dual-MOSFET (N-Kanal und P-Kanal) im kompakten SOT-563-Gehäuse für zuverlässige Anwendungen.

Ideal für

  • Kleinsignal-Schaltung
  • Pegelwandlung
  • Tragbare Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsmotorsteuerung
  • Hochspannungsanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannung
  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

Konfiguration
Komplementärpaar
Vds
±20 V
Id (max)
870 mA / -640 mA

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

UnterhaltungselektronikAutomobil

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG1016V-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1016V-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein komplementärer Enhancement-Mode-MOSFET mit einem N-Kanal- und einem P-Kanal-Transistor in einem SOT-563-Gehäuse.