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DMG1029SV-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG1029SV-7 product

DMG1029SV-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärpaarSOT563AEC-Q101

Der DMG1029SV-7 ist ein komplementärer Enhancement-Mode-MOSFET (N-Kanal und P-Kanal) im kompakten SOT563-Gehäuse, optimiert für effizientes Power-Management.

Ideal für

  • Power-Management
  • Analoge Schalter
  • Allgemeine Schnittstellen

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen, die thermische Grenzen überschreiten

Vor der Verwendung prüfen

  • Layout des thermischen Pads und Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
60V / -60V
ID
500mA / -360mA
RDS(on)
1,7Ω / 4Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Y
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Power-ManagementAllgemeine Schnittstellen

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG1029SV-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG1029SV-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um ein komplementäres MOSFET-Paar mit einem N-Kanal- und einem P-Kanal-Transistor in einem SOT563-Gehäuse.