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DMG3415UFY4Q-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG3415UFY4Q-7 product

DMG3415UFY4Q-7

MOSFETs - Single

MOSFETP-KanalAEC-Q101

Der DMG3415UFY4Q-7 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Energiemanagement mit niedrigem Einschaltwiderstand und ESD-Schutz.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Hintergrundbeleuchtung
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen über -2,5A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
-16 V
ID
-2,5 A
RDS(on)
39 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

DMG3415UFY4Q-7-Diodes-Inc.-datasheet-101965296.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG3415UFY4Q-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im X2-DFN2015-3-Gehäuse, optimiert für schnelles Schalten.