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DMG4800LK3-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG4800LK3-13 product

DMG4800LK3-13

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30V

Der DMG4800LK3 ist ein 30V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit entwickelt wurde.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Pad-Layout

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
10 A
Rds(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG4800LK3-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG4800LK3-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten optimiert ist.