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DMG6601LVT-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG6601LVT-7 product

DMG6601LVT-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETKomplementärTSOT26Energiemanagement

Der DMG6601LVT-7 ist ein komplementäres N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Paar im TSOT26-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Dauerströmen über 3A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
30V / -30V
ID
3,8A / -2,5A
RDS(on)
55mΩ / 110mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Y
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG6601LVT-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG6601LVT-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen komplementären Enhancement-Mode-MOSFET mit einem N-Kanal- und einem P-Kanal-Transistor in einem TSOT26-Gehäuse.