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DMG6968UTS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG6968UTS-HXY product

DMG6968UTS-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalTrench

Der DMG6968UTS ist ein dualer N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, der für Niederspannungs-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für 7A Dauerbetrieb

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
7A
RDS(ON)
14mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

1e9bf87afa861b17ca09cf4a08e80ae9_2403261743_HXY-MOSFET-DMG6968UTS-HXY_C22367364.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG6968UTS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Trench-MOSFET für kompakte Schaltanwendungen.