ProjektePreiseInsights

DMG7401SFG-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG7401SFG-HXY product

DMG7401SFG-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETTrenchDFN3X3-8L

Der DMG7401SFG ist ein P-Kanal-MOSFET im DFN3X3-8L-Gehäuse, optimiert für Hochstrom-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • High-Side-Schaltung
  • DC/DC-Leistungswandlung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Gate-Ansteuerung unter -3V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermischer Widerstand (Rthj-a) auf Ihrem spezifischen PCB-Layout

Wichtige Specs

VDS
-30 V
ID
-32 A
RDS(on)
12 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

66e7ecacda792b42aaba3559e66ef32c_2403261738_HXY-MOSFET-DMG7401SFG-HXY_C22366845.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG7401SFG-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert.