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DMG8601UFG-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMG8601UFG-7 product

DMG8601UFG-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalAEC-Q101

Der DMG8601UFG-7 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für zuverlässige Anwendungen, der 20V Drain-Source-Spannung und 6,1A Dauerstrom im kompakten U-DFN3030-8-Gehäuse bietet.

Ideal für

  • Automobilelektronik
  • Energieverwaltung
  • Zuverlässige Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von >20V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung und PCB-Pad-Layout

Wichtige Specs

Vds
20 V
Id
6,1 A
Rds(on)
17 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergieverwaltungAutomobil

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMG8601UFG-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMG8601UFG-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der für niedrigen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten optimiert ist.