Es handelt sich um einen 12V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen mit niedrigem Einschaltwiderstand und ESD-geschütztem Gate.
DMN1004UFV-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD
KI-Zusammenfassung
Wichtige Specs
- VDS
- 12 V
- ID
- 70 A
- RDS(on)
- 3,8 mΩ
- Gehäuse
- PowerDI3333-8
Compliance & Umwelt
- RoHS
- ROHS3 Compliant
- REACH
- -
- MSL
- 1
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541290095.0
Anwendung
EnergiemanagementDC-DC-Wandler
Datenblatt
CAD-Modelle
ECAD-Modelle für DMN1004UFV-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.
EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bezugsquellen
Real-time and catalog pricing from verified distributors
Alternative Bauteile
Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.
