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DMN1019USN-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN1019USN-7 product

DMN1019USN-7

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET12VSC59

Der DMN1019USN-7 ist ein 12V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement optimiert ist und sich durch niedrigen Einschaltwiderstand sowie ESD-Gate-Schutz auszeichnet.

Ideal für

  • Lastschalter
  • DC-DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 12V Drain-Source-Spannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
12 V
ID
9,3 A
RDS(ON)
10 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Energiemanagement

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN1019USN-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Er bietet eine Drain-Source-Spannung von 12V, einen kontinuierlichen Drain-Strom von 9,3A und einen niedrigen Einschaltwiderstand von 10mΩ bei 4,5V VGS.