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DMN10H170SFG-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN10H170SFG-7 product

DMN10H170SFG-7

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VPowerDI3333

Der DMN10H170SFG-7 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten PowerDI3333-8-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement
  • Hintergrundbeleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 3A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Layout

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
2,9 A
RDS(on)
122 mΩ
Gehäuse
PowerDI3333-8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

DMN10H170SFG-7-Diodes-Inc.-datasheet-62305095.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN10H170SFG-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der für 100V und 2,9A ausgelegt ist und in einem thermisch effizienten PowerDI3333-8-Gehäuse geliefert wird.