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DMN10H170SK3-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN10H170SK3-13 product

DMN10H170SK3-13

MOSFETs - Single

MOSFET100VN-Kanal

Der DMN10H170SK3-13 ist ein 100V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für effizientes Energiemanagement mit niedrigem Einschaltwiderstand.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit extremen Anforderungen an die Gate-Ladung oder sehr kleinem Bauraum

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
12 A
RDS(on)
140 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Energiemanagement

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN10H170SK3-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN10H170SK3-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein 100V N-Kanal-MOSFET im TO252-Gehäuse, optimiert für geringe Verluste.