ProjektePreiseInsights

DMN10H170SVT-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN10H170SVT-7 product

DMN10H170SVT-7

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VTSOT26

Der DMN10H170SVT-7 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten TSOT26-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Batteriebetriebene Systeme
  • Relais- und Solenoidtreiber

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Strömen deutlich über 2,6A
  • Designs, bei denen Platz keine Rolle spielt und höhere Verlustleistung toleriert wird

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung für das TSOT26-Gehäuse
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
100 V
ID
2,6 A
RDS(on)
160 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementBatteriesysteme

Datenblatt

poYBAGNW_RiAaCKTAAgOBlGiqiE208.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN10H170SVT-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated mit einer Drain-Source-Durchbruchspannung von 100V und niedrigem Einschaltwiderstand.