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DMN2005UFG-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2005UFG-13 product

DMN2005UFG-13

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET20VPowerDI3333-8

Der DMN2005UFG-13 ist ein leistungsstarker 20V N-Kanal-MOSFET im kompakten PowerDI3333-8-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und DC-DC-Wandler.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Energiemanagement
  • Hintergrundbeleuchtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die eine Drain-Source-Spannung von mehr als 20V erfordern.

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen auf der Leiterplatte.

Wichtige Specs

BVDSS
20 V
ID Max
50 A
RDS(ON) Max
4,6 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandler

Datenblatt

DMN2005UFG-13-Diodes-Inc.-datasheet-101745969.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2005UFG-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated, der sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand und ein thermisch effizientes PowerDI3333-8-Gehäuse auszeichnet.