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DMN2011UFDE-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2011UFDE-7 product

DMN2011UFDE-7

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VAEC-Q101

Der DMN2011UFDE-7 ist ein hocheffizienter 20V N-Kanal-MOSFET für flache Stromversorgungs- und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Strommanagement
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
RDS(on)
9,5 mΩ
ID
11,7 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Compliant
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

StrommanagementAllgemeines Schalten

Datenblatt

DMN2011UFDE-7-Diodes-Inc.-datasheet-101745971.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2011UFDE-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand im kompakten U-DFN2020-6-Gehäuse.