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DMN2016LHAB-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2016LHAB-7 product

DMN2016LHAB-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal20VPower Management

Der DMN2016LHAB-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET, der für hocheffizientes Power-Management in kompakten Designs optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung
  • Stromverteilung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeleitpad-Layout auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
7,5 A
RDS(on)
15,5 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Power ManagementBatteriepack

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN2016LHAB-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2016LHAB-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und ESD-geschützten Gates im U-DFN2030-6-Gehäuse.