ProjektePreiseInsights

DMN2016UTS-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2016UTS-13 product

DMN2016UTS-13

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalAEC-Q101

Der DMN2016UTS-13 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit niedrigem Einschaltwiderstand und ESD-Schutz, der für zuverlässige Anwendungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Automobil
  • Industrie
  • Unterhaltungselektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 0,88 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Layout des Wärmepads auf der Leiterplatte

Wichtige Specs

Vdss
20 V
Id
8,58 A
Rds(on)
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8542390001.0

Anwendung

AutomobilIndustrie

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN2016UTS-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2016UTS-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET im TSSOP-8L-Gehäuse, der nach AEC-Q101-Standards qualifiziert ist.