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DMN2016UTS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2016UTS-HXY product

DMN2016UTS-HXY

MOSFETs - Arrays

Dualer N-KanalMOSFET20VTSSOP-8

Der DMN2016UTS ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, optimiert für Niederspannungs-Leistungsschaltanwendungen.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
7.5A
RDS(ON)
13mΩ (max) bei 4.5V

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2016UTS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hochdichte Leistungsschaltanwendungen entwickelt wurde.