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DMN2019UTS-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2019UTS-HXY product

DMN2019UTS-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalTSSOP-8

Der DMN2019UTS ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im TSSOP-8-Gehäuse, der für effizientes Schalten und Lastmanagement in kompakten elektronischen Geräten entwickelt wurde.

Ideal für

  • Kleinsignalschaltung
  • Lastmanagement

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,25 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeauslegung und Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
20V
ID
7A
RDS(ON)
14mΩ (bei 4,5V)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungAllgemein

Datenblatt

7e3e5f880f001f4167b58ed15de63198_2403261743_HXY-MOSFET-DMN2019UTS-HXY_C22367366.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2019UTS-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der Trench-Technologie für hohe Zelldichte und niedrigen Einschaltwiderstand nutzt.