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DMN2029USD-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2029USD-HXY product

DMN2029USD-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalSOP-8

Der DMN2029USD ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Allgemeine Stromschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung und thermisches Management

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
8 A
RDS(on)
13 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

877342ba756fe09a36cf415a8d8fe6c7_2403261740_HXY-MOSFET-DMN2029USD-HXY_C22367026.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2029USD-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert.