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DMN21D2UFB-7B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN21D2UFB-7B product

DMN21D2UFB-7B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VX1-DFN1006-3

Der DMN21D2UFB-7B ist ein kompakter 20V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen bei begrenztem Platz optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Energiemanagement
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über 20V
  • Hochstrom-Leistungsstufen

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung
  • Thermische Belastungsgrenzen

Wichtige Specs

BVDSS
20 V
ID Max
760 mA
RDS(on) Max
0,99 Ω
Gehäuse
X1-DFN1006-3

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementAllgemeine Anwendungen

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN21D2UFB-7B.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN21D2UFB-7B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffizientes Energiemanagement im ultrakleinen X1-DFN1006-3-Gehäuse.