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DMN2990UFZ-7B KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN2990UFZ-7B product

DMN2990UFZ-7B

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal20VESD-geschützt

Der DMN2990UFZ-7B ist ein kompakter, ESD-geschützter 20V N-Kanal-MOSFET, der für platzkritische Energieverwaltungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • Platzsparendes Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltanwendungen

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement bei kleinen Leiterplatten

Wichtige Specs

Vds
20 V
Id
250 mA
Rds(on)
0.99 Ohm
Gehäuse
X2-DFN0606-3

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Compliant
MSL
1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Power ManagementUnterhaltungselektronik

Datenblatt

DMN2990UFZ-7B-Diodes-Inc.-datasheet-103923322.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN2990UFZ-7B laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 20V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im ultrakleinen X2-DFN0606-3-Gehäuse mit ESD-Schutz.