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DMN3009SK3-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN3009SK3-HXY product

DMN3009SK3-HXY

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal30V160A

Der DMN3009SK3 ist ein N-Kanal-MOSFET für hohe Ströme, optimiert für Batterieschutz und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter
  • USV

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit Gate-Spannungen unter 4,5V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
30 V
ID
160 A
RDS(ON)
2,3 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

70a960fdfe008368f59e1442b28553fc_2405211553_HXY-MOSFET-DMN3009SK3-HXY_C22367137.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN3009SK3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Ein N-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET mit Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand.