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DMN53D0LQ-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN53D0LQ-HXY product

DMN53D0LQ-HXY

MOSFETs

N-KanalMOSFETSOT-2350V

Der DMN53D0LQ ist ein 50V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, optimiert für das Schalten kleiner Lasten und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batteriemanagement
  • Kleinsignalschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 220mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
50V
Id
0,22A
RDS(on)
< 2,0Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

7671f589310344862e9eb83e10ec09cc_2403261740_HXY-MOSFET-DMN53D0LQ-HXY_C22367102.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN53D0LQ-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in Trench-Technologie, der in einem SOT-23-Gehäuse geliefert wird.