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DMN5L06VAK-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN5L06VAK-7 product

DMN5L06VAK-7

MOSFETs - Arrays

Dualer MOSFETN-KanalAEC-Q101SOT563

Der DMN5L06VAK-7 ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im kompakten SOT563-Gehäuse, der für Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit, niedriger Gate-Schwellenspannung und ESD-Schutz entwickelt wurde.

Ideal für

  • Automobilanwendungen
  • Kleinsignal-Schaltung
  • Platzsparende Designs

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsschaltanwendungen über 280mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Ansteuerspannungspegel
  • Wärmemanagement

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
50 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
280 mA
Einschaltwiderstand
2,0 Ω
Gehäuse
SOT563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

AutomobilAllgemeines Schalten

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN5L06VAK-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN5L06VAK-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET in einem ultrakleinen SOT563-Oberflächenmontagegehäuse.