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DMN6066SSD-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN6066SSD-HXY product

DMN6066SSD-HXY

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-Kanal60VSOP-8

Der DMN6066SSD ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, ausgelegt für 60V, 6.5A Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Batterieschutzschaltungen
  • Lastschalter
  • Unterbrechungsfreie Stromversorgungen

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit höheren Strom- oder Spannungsanforderungen
  • Designs, bei denen der Platzbedarf für SOP-8 zu groß ist

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Anforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDS
60 V
ID
6.5 A
RDS(ON)
32 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungAllgemeines Schalten

Datenblatt

415ef9c1ba7486f034364ccb0dc692bf_2403261655_HXY-MOSFET-DMN6066SSD-HXY_C22366497.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN6066SSD-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET von HXY MOSFET, der Trench-Technologie für niedrigen Einschaltwiderstand und geringe Gate-Ladung nutzt.