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DMN63D8L-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN63D8L-HXY product

DMN63D8L-HXY

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET30VSOT-23

Der DMN63D8L ist ein 30V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für leichtes Schalten und Batterieschutzanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Signalschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochstrom-Leistungsschaltung

Vor der Verwendung prüfen

  • Dauerstromgrenzwerte

Wichtige Specs

VDS
30V
ID
0.1A
RDS(on)
2.2Ω

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN63D8L-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-MOSFET im Anreicherungsmodus, der Trench-Technologie nutzt, um eine niedrige Gate-Ladung und effizientes Schalten zu ermöglichen.