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DMN63D8LDWQ-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN63D8LDWQ-7 product

DMN63D8LDWQ-7

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual N-KanalAutomobilAEC-Q101

Der DMN63D8LDWQ-7 ist ein dualer N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für effizientes Energiemanagement und Automobilanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Automotive-Energiemanagement
  • DC-DC-Wandler
  • Relais-Treiber

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 260mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Schwellenspannung
  • Thermische Belastbarkeit

Wichtige Specs

Vds
30 V
Id
260 mA
Rds(on)
2,8 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

AutomobilEnergiemanagement

Datenblatt

DMN63D8LDWQ-7-Diodes-Inc.-datasheet-129886265.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN63D8LDWQ-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-MOSFET mit ESD-geschütztem Gate im kompakten SOT363-Gehäuse.