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DMN65D8L-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMN65D8L-7 product

DMN65D8L-7

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET60VSOT23

Der DMN65D8L-7 ist ein 60V N-Kanal-MOSFET im SOT23-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Relais- und Magnettreiber
  • Batteriebetriebene Systeme

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 310mA
  • Anwendungen mit >60V Durchbruchspannung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Kontinuierlicher Drain-Strom
310 mA
Einschaltwiderstand (10V)
3 Ω
Gehäuse
SOT23

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

EnergiemanagementRelaistreiber

Datenblatt

Diodes-Inc.-DMN65D8L-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMN65D8L-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.