ProjektePreiseInsights

DMP22D6UT-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMP22D6UT-HXY product

DMP22D6UT-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFETSOT-523

Der DMP22D6UT ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT-523-Gehäuse, optimiert für Niederspannungsschaltungen und Batterieschutz.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Niederspannungs-Lastschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 150mW

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmemanagement im SOT-523-Gehäuse

Wichtige Specs

VDS
-20V
ID
-0.66A
RDS(on)
<560mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

BatteriemanagementLastschaltung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMP22D6UT-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für Niederspannungsanwendungen geeignet ist.