ProjektePreiseInsights

DMP6180SK3Q-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMP6180SK3Q-HXY product

DMP6180SK3Q-HXY

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET60VTO-252

Der DMP6180SK3Q ist ein 60V P-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für effizientes Schalten in Energiemanagement- und Batterieschutzschaltungen entwickelt wurde.

Ideal für

  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Extrem platzkritische Designs

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

VDS
-60 V
ID
-20 A
RDS(on)
< 58 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatterieschutz

Datenblatt

ee2abccdb2b57ab8d3842ee1ab5de4d7_2403261741_HXY-MOSFET-DMP6180SK3Q-HXY_C22367175.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMP6180SK3Q-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen P-Kanal-Enhancement-Mode-MOSFET, der auf fortschrittlicher Trench-Technologie basiert und für niedrige Gate-Ladung und geringen Einschaltwiderstand optimiert ist.