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DMT10H032LFDF-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMT10H032LFDF-7 product

DMT10H032LFDF-7

MOSFETs - Single

100VN-KanalMOSFETU-DFN2020-6

Der DMT10H032LFDF-7 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten U-DFN2020-6-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement bei geringer Bauhöhe.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Batteriebetriebene Systeme
  • Halbleiterrelais

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die einen kontinuierlichen Strom von mehr als 6A erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Dissipationsgrenzen auf Ihrer Leiterplatte

Wichtige Specs

BVDSS
100 V
RDS(ON)
32 mΩ
ID
6 A

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementBatteriesysteme

Datenblatt

7794b4d91bd76d009e8153384d8c4448_DMT10H032LFDF.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMT10H032LFDF-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-MOSFET von Diodes Incorporated, der für effizientes Energiemanagement in platzkritischen Anwendungen entwickelt wurde.