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DMT10H072LFV-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMT10H072LFV-7 product

DMT10H072LFV-7

MOSFETs - Single

MOSFET100VN-KanalPowerDI3333-8

Der DMT10H072LFV ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im kompakten PowerDI3333-8-Gehäuse, optimiert für effizientes Energiemanagement.

Ideal für

  • Energiemanagement
  • Batteriebetriebene Systeme
  • Halbleiterrelais

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit mehr als 20A Dauerstrom

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung für das PowerDI3333-8-Gehäuse

Wichtige Specs

BVDSS
100 V
ID (Max)
20 A
RDS(ON) (Max)
62 mΩ
Gehäuse
PowerDI3333-8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

EnergiemanagementBatteriesysteme

Datenblatt

DIOD-S-A0007740061-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMT10H072LFV-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 100V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET für hocheffiziente Stromversorgungsanwendungen.