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DMT3020LSD-HXY KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMT3020LSD-HXY product

DMT3020LSD-HXY

MOSFETs

Dualer N-KanalMOSFETSOP-8

Der DMT3020LSD ist ein dualer N-Kanal-MOSFET im SOP-8-Gehäuse, der für Niederspannungsschaltanwendungen und Batterieschutz optimiert ist.

Ideal für

  • Batteriemanagementsysteme
  • Niederspannungs-Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 1,5 W Verlustleistung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Kompatibilität der Gate-Ansteuerung

Wichtige Specs

Vdss
30 V
Id
8.5 A
RDS(on)
18 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungBatterieschutz

Datenblatt

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800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMT3020LSD-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für effizientes Schalten bei niedrigen Gate-Spannungen ausgelegt ist.