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DMT6012LSS-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DMT6012LSS-13 product

DMT6012LSS-13

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal60VSO-8

Der DMT6012LSS-13 ist ein hocheffizienter 60V N-Kanal-MOSFET im SO-8-Gehäuse, optimiert für Power-Management-Anwendungen.

Ideal für

  • DC-DC-Netzteile
  • Synchrone Gleichrichtung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit einer Drain-Source-Spannung über 60V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen für den Dauerbetrieb bei 10,4A

Wichtige Specs

Drain-Source-Spannung
60 V
Dauer-Drainstrom
10,4 A
Einschaltwiderstand (RDS(on))
11 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Compliant
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290095.0

Anwendung

Power ManagementIndustrie

Datenblatt

TELDS00321-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMT6012LSS-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen 60V N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von Diodes Incorporated im SO-8-Gehäuse.