DMTH3004LK3-HXY Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD | HXY MOSFET | PartGenie

KI-Zusammenfassung

DMTH3004LK3-HXY product

Der DMTH3004LK3 ist ein 30V, 120A N-Kanal-MOSFET im TO-252-2L-Gehäuse, der für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in Leistungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

Batterieschutz
Lastschaltung

Vermeiden, wenn

Anwendungen mit Spannungen deutlich über 30V

Vor der Verwendung prüfen

Wärmeableitungsanforderungen bei 120A

Wichtige Specs

VDS: 30 V
ID: 120 A
RDS(ON): 3.8 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS: Compliant
REACH: -
MSL: -
ECCN: -
HTSUS: -

Anwendung

EnergieverwaltungIndustrie

Datenblatt

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800 KB

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DMTH3004LK3-HXY laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol

Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool

PCB-Footprint

Landpattern für das PCB-Layout

3D-Modell

STEP-Datei für die Mechanik

KiCad-Bibliothek

Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell

Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für 30V und 120A ausgelegt ist.