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DN2450N8-G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DN2450N8-G product

DN2450N8-G

MOSFETs - Single

MOSFETVerarmungstyp500V

Der DN2450N8-G ist ein 500V N-Kanal-Verarmungs-MOSFET im SOT-89-Gehäuse, der für normalerweise eingeschaltete Schaltanwendungen und Strombegrenzungen ausgelegt ist.

Ideal für

  • Normalerweise eingeschaltete Schalter
  • Strombegrenzung

Vermeiden, wenn

  • Hochstromanwendungen über 230mA

Vor der Verwendung prüfen

  • Gate-Source-Abschaltspannung

Wichtige Specs

VDS
500 V
ID
230 mA
RDS(on)
10 Ohm

Compliance & Umwelt

RoHS
RoHS Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementIndustrielle Steuerung

Datenblatt

Microchip-company-71.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DN2450N8-G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Verarmungs-MOSFET (Depletion-Mode), der Spannungen bis zu 500V verarbeiten kann.