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DNLS320E-13 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DNLS320E-13 product

DNLS320E-13

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

NPNBJTSOT-223Niedrige Sättigung

Der DNLS320E-13 ist ein leistungsstarker NPN-Bipolartransistor (BJT), der für Schalt- und Verstärkeranwendungen mittlerer Leistung optimiert ist.

Ideal für

  • Leistungsschaltung
  • Verstärkung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 20V

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

VCEO
20 V
IC
3 A
VCE(SAT)
0,18 V
hFE
>400

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541290075.0

Anwendung

LeistungsschaltungVerstärkung

Datenblatt

Diodes-Inc.-DNLS320E-13.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DNLS320E-13 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen epitaxialen planaren NPN-Transistor im SOT-223-Gehäuse, der für niedrige Sättigungsspannung und hohe Stromverstärkung optimiert ist.