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DSR01S30SL,L3F KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DSR01S30SL,L3F product

DSR01S30SL,L3F

Schottky Diodes

Schottky30V100mASMD

Die DSR01S30SL ist eine kompakte 30V, 100mA Schottky-Barriere-Diode, die für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
  • Platzkritische Anwendungen

Vermeiden, wenn

  • Umgebungen mit hohen Temperaturen ohne angemessenes Wärmemanagement

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und Verlustleistungsgrenzen

Wichtige Specs

Sperrspannung
30 V
Durchlassstrom
100 mA
Sperrstrom
0,7 µA

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Hochgeschwindigkeits-Schalten

Datenblatt

1ca077a3b09d343db253177f37a819b4.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DSR01S30SL,L3F laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um eine Silizium-Epitaxial-Schottky-Barriere-Diode von Toshiba für schnelle Schaltvorgänge.