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DSS5160V-7 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

DSS5160V-7 product

DSS5160V-7

Transistors - Bipolar (BJT) - Single

PNPBJTSOT-563Niedrige Sättigung

Der DSS5160V-7 ist ein leistungsstarker PNP-Bipolartransistor, der für Anwendungen mit niedriger Sättigungsspannung in kompakten SMD-Designs optimiert ist.

Ideal für

  • Niederspannungsschaltungen
  • Automatisierte Bestückung
  • Platzkritische Elektronik

Vermeiden, wenn

  • Hochleistungsanwendungen über 600mW Verlustleistung
  • Extreme thermische Umgebungen ohne ausreichende Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Pad-Anordnung
  • Spitzenstromgrenzwerte

Wichtige Specs

VCEO
-60 V
IC (Dauer)
-1 A
VCE(SAT) bei -1A
-330 mV
Gehäuse
SOT-563

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
Level 1
ECCN
EAR99
HTSUS
8541210095.0

Anwendung

Allgemeines SchaltenEnergieverwaltung

Datenblatt

Diodes-Inc.-DSS5160V-7.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für DSS5160V-7 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen PNP-Epitaxial-Planartransistor, der für eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (VCE(SAT)) ausgelegt ist und in einem ultrakleinen SOT-563-Gehäuse geliefert wird.