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E3M0075120K KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

E3M0075120K product

E3M0075120K

MOSFETs - Single

SiC MOSFETAutomobil1200V

Der E3M0075120K ist ein leistungsstarker 1200V SiC-MOSFET, der für automobile Leistungswandlungsanwendungen optimiert ist.

Ideal für

  • EV-Batterieladegeräte
  • Hochspannungs-DC/DC-Wandler

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen die Vorteile von SiC nicht erforderlich sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Anforderungen an die Gate-Ansteuerspannung (-4V bis +15V empfohlen)

Wichtige Specs

VDS
1200 V
RDS(on)
75 mOhm
ID
32 A

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
Compliant
MSL
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

Automotive Power

Datenblatt

d01ac4af2d296ed8f4f0266e80257bea_2305040950_Wolfspeed-E3M0075120K_C5713517.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für E3M0075120K laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen Siliziumkarbid (SiC) N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET der 3. Generation, der für 1200V ausgelegt ist und für Automobilanwendungen entwickelt wurde.