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ECH8667-TL-H KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ECH8667-TL-H product

ECH8667-TL-H

MOSFETs - Arrays

MOSFETP-KanalDualLeistung

Der ECH8667-TL-H ist ein dualer P-Kanal-Leistungs-MOSFET im ECH8-Gehäuse, ausgelegt für -30V und -5.5A mit niedrigem Einschaltwiderstand.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Energieverwaltung

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermisches Design und Leiterplatten-Montagefläche

Wichtige Specs

VDSS
-30 V
ID
-5.5 A
RDS(on)
39 mΩ
Gehäuse
ECH8

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

Energieverwaltung

Datenblatt

SSCLS01749-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ECH8667-TL-H laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Drain-Source-Spannung von -30V und einem kontinuierlichen Drain-Strom von -5.5A, untergebracht in einem ECH8-Gehäuse für die Oberflächenmontage.