ProjektePreiseInsights

ES15N10G KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ES15N10G product

ES15N10G

MOSFETs - Single

N-KanalMOSFET100VTO-252

Der ES15N10G ist ein 100V N-Kanal-Trench-MOSFET im TO-252-Gehäuse, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Strommanagement

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit sehr niedrigen Gate-Schwellenspannungen unter 1V
  • Hochfrequenzanwendungen mit extremen Anforderungen an die Gate-Ladung

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id (Tc=25°C)
12 A
RDS(on) (Typ)
85 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
-
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StrommanagementDC/DC-Wandlung

Datenblatt

c144537718bbbf754a6864f068682eb2_2210271700_ElecSuper-ES15N10G_C5224293.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ES15N10G laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit Trench-Technologie, der für niedrigen RDS(on) und geringe Gate-Ladung in Stromversorgungsanwendungen ausgelegt ist.