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ES5N10 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ES5N10 product

ES5N10

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal100VSOT-23

Der ES5N10 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse, der für effiziente Schaltanwendungen und DC-DC-Wandler konzipiert ist.

Ideal für

  • Tragbare Elektronik
  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen über 2,6A
  • Umgebungen mit hoher thermischer Belastung ohne Kühlung

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitung auf der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
2,6 A
RDS(on)
90 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergieverwaltungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

8c92cc00787536befd3787f0d053bcd4_2210271700_ElecSuper-ES5N10_C5224313.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ES5N10 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der ES5N10 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der auf Trench-Technologie basiert und für kompakte Schaltanwendungen optimiert wurde.