ProjektePreiseInsights

ESN21307 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ESN21307 product

ESN21307

MOSFETs - Single

P-KanalMOSFET-30VPDFN5*6-8L

Der ESN21307 ist ein leistungsstarker -30V P-Kanal-MOSFET im PDFN5*6-8L-Gehäuse, optimiert für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Lastschalter
  • Energiemanagement in PCs

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die N-Kanal-Logik erfordern
  • Hochspannungssysteme über -30V

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung
  • Kompatibilität der Gate-Ansteuerspannung

Wichtige Specs

Vdss
-30 V
Id
-45 A
RDS(on)
8,5 mΩ (typ)

Compliance & Umwelt

RoHS
Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC/DC-Wandlung

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ESN21307 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der ESN21307 ist ein P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der für hocheffizientes Energiemanagement und Schaltanwendungen entwickelt wurde.