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ESN6484 KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

ESN6484 product

ESN6484

MOSFETs - Single

N-Kanal100VTrench-MOSFET

Der ESN6484 ist ein 100V N-Kanal-MOSFET, der für effizientes Schalten und DC-DC-Wandlung in einem kompakten PDFN5*6-8L-Gehäuse optimiert ist.

Ideal für

  • DC-DC-Wandlung
  • Leistungsschaltung

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen, die extrem niedrige Gate-Ansteuerspannungen unter 4,5V erfordern

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungsanforderungen

Wichtige Specs

Vdss
100 V
Id
11 A
RDS(on)
91 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
Yes
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

EnergiemanagementDC-DC-Wandlung

Datenblatt

ea139e3e7cb1823f274d955c2ea08608_2210271700_ElecSuper-ESN6484_C5224311.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für ESN6484 laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Der ESN6484 ist ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der Trench-Technologie verwendet und auf niedrigen RDS(ON) und niedrige Gate-Ladung optimiert ist.