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FDB12N50TM KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDB12N50TM product

FDB12N50TM

MOSFETs - Single

MOSFETN-Kanal500VUniFET

Der FDB12N50TM ist ein 500V, 11,5A N-Kanal UniFET MOSFET im D2PAK-Gehäuse, optimiert für Hochspannungs-Schaltanwendungen.

Ideal für

  • Schaltnetzteile
  • PFC-Schaltungen

Vermeiden, wenn

  • Niederspannungsanwendungen, bei denen Bauteile mit geringerem Rds(on) effizienter sind

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeabfuhr-Anforderungen

Wichtige Specs

Vdss
500 V
Id
11,5 A
Rds(on)
650 mΩ

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
REACH Unaffected
MSL
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Anwendung

NetzteilBeleuchtung

Datenblatt

Fairchild-Semiconductor-company-11.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDB12N50TM laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal UniFET MOSFET für Hochspannungsanwendungen mit 500V Durchbruchspannung und 11,5A Strombelastbarkeit.