ProjektePreiseInsights

FDC6310P KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDC6310P product

FDC6310P

MOSFETs - Arrays

MOSFETDual P-KanalPowerTrenchSuperSOT-6

Der FDC6310P ist ein dualer P-Kanal-MOSFET, der für platzsparende Power-Management-Anwendungen bei niedrigen Spannungen optimiert ist.

Ideal für

  • Lastschaltung
  • Batterieschutzschaltungen
  • Tragbares Power-Management

Vermeiden, wenn

  • Hochspannungsanwendungen über -20V
  • Hochstromdesigns über -2.2A

Vor der Verwendung prüfen

  • Wärmeableitungskapazität der Leiterplatte
  • Gate-Ansteuerspannungspegel

Wichtige Specs

VDSS
-20 V
ID
-2.2 A
RDS(on)
125 mΩ
Gehäuse
SuperSOT-6

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
nan
MSL
nan
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001

Anwendung

Power ManagementBatterieschutz

Datenblatt

TELDS00331-1.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDC6310P laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen dualen P-Kanal 2.5V PowerTrench-MOSFET im SuperSOT-6-Gehäuse, der für effizientes Schalten in kompakten Schaltungen entwickelt wurde.