ProjektePreiseInsights

FDC637BNZ KI-Analyse:
Datenblatt, Specs, Alternativen & ECAD

KI-Zusammenfassung

FDC637BNZ product

FDC637BNZ

MOSFETs - Single

MOSFETN-KanalPowerTrenchSSOT-6

Der FDC637BNZ ist ein 20V N-Kanal PowerTrench MOSFET im SSOT-6 Gehäuse, optimiert für niedrigen Einschaltwiderstand und effizientes Schalten in kompakten Stromversorgungsschaltungen.

Ideal für

  • DC-DC-Wandler
  • Batterieschutz
  • Lastschalter

Vermeiden, wenn

  • Anwendungen mit hoher Spannung (>20V) oder hohem Dauerstrom (>6,2A)

Vor der Verwendung prüfen

  • Thermische Auslegung und PCB-Kupferfläche zur Wärmeableitung

Wichtige Specs

VDS
20 V
ID
6,2 A
RDS(on)
24 mΩ
Gehäuse
SSOT-6

Compliance & Umwelt

RoHS
ROHS3 Compliant
REACH
-
MSL
-
ECCN
-
HTSUS
-

Anwendung

StromversorgungUnterhaltungselektronik

Datenblatt

DSA-34534.pdf

800 KB

Datasheet AI

CAD-Modelle

ECAD-Modelle für FDC637BNZ laden: KiCad-Symbol & -Footprint, Altium-Footprint, PCB-Footprint und 3D-Modell.

EDA-Symbol
Schaltplansymbol für Ihr EDA-Tool
Dateien holen
PCB-Footprint
Landpattern für das PCB-Layout
Dateien holen
3D-Modell
STEP-Datei für die Mechanik
Dateien holen
KiCad-Bibliothek
Verifiziertes KiCad-8-Symbol, Footprint und 3D-Modell
Bibliothek erzeugen

Login erforderlich · CAD-Modelle separat als Add-on abgerechnet

Bezugsquellen

Real-time and catalog pricing from verified distributors

Live prices updated on demand · Catalog (~) prices may differ

Alternative Bauteile

Alternativen werden bereichert. Analysieren Sie diesen Teil in PartGenie für die neuesten Übereinstimmungen.

Design- und Risiko-Insights

Fragen & Antworten

Es handelt sich um einen N-Kanal PowerTrench MOSFET von onsemi mit einer Drain-Source-Spannung von 20V und einem Dauerstrom von 6,2A im kompakten SSOT-6 Gehäuse.